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이천 SK하이닉스, 세계 최초 DDR5 출시
이천시민신문 기자  |  iccitizen@daum.net
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승인 2020.10.06  17:35:01
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Ø  최신 DDR4 대비 데이터 전송 속도 최대 1.8배 향상, 전력 소모 20% 감축
Ø  16Gb기반의 256GB 고용량 모듈 구현
Ø  오류정정 기능 내장으로 획기적인 신뢰성 개선
Ø  인텔 등 글로벌 파트너사 검증 완료
Ø  빅데이터, 인공지능, 머신러닝 등 차세대 시스템에 최적화

SK하이닉스가 세계 최초로 DDR5 D램을 출시한다고 6일 밝혔다.

DDR5는 차세대 D램 규격으로 빅데이터, 인공지능, 머신러닝 등에 최적화된 초고속, 고용량 제품이다.

SK하이닉스는 2018년 11월 16Gb DDR5를 세계 최초로 개발한 이후 인텔 등 주요 파트너사들에게 샘플을 제공, 다양한 테스트와 동작 검증, 호환성 검증 등을 모두 완료했다고 밝혔다.

이로써 SK하이닉스는 향후 DDR5 시장이 활성화되면 언제든지 제품을 판매할 수 있게 되었다.

그동안 SK하이닉스는 SoC(System On Chip) 업체 등과 현장 분석실(On-site Lab) 공동 운영, 실장 테스트(System Level Test), 각종 시뮬레이션 등을 진행해 DDR5의 동작 검증을 완료했다.

또 D램 특성에 영향을 미치는 RCD(Register Clock Driver), PMIC(Power Management IC) 등 모듈을 구성하는 주요 부품들 간의 호환성 검증을 글로벌 파트너사들과 긴밀하게 진행해왔다.

SK하이닉스의 이 제품은 전송 속도가 이전 세대인 DDR4의 3,200Mbps 대비 4,800Mbps ~ 5,600Mbps로 최대 1.8배 빨라졌다.

5,600Mbps는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 약 9편을 1초에 전달할 수 있는 속도이다. 또한, 동작 전압은 1.2V에서1.1V로 낮아져 전력 소비가 20% 감축됐다.

또한 칩 내부에 오류정정회로(ECC, Error Correcting Code)를 내장해 여러 원인에 의해 발생할 수 있는 D램 셀(Cell)의 1비트(Bit)의 오류까지 스스로 보정할 수 있게 한 점도 특징이다.

이러한 기술을 통해 SK하이닉스의 DDR5를 채용하는 시스템의 신뢰성은 약 20배 향상될 것으로 예상된다.

여기에 TSV(Through Silicon Via) 기술이 더해지면 256GB(기가바이트)의 고용량 모듈 구현이 가능하다.

SK하이닉스는 전력 소비를 낮추면서도 신뢰성을 대폭 개선한 친환경 DDR5가 데이터센터의 전력 사용량과 운영비용을 절감시킬 수 있을 것으로도 기대하고 있다.

인텔의 데이터플랫폼 그룹 캐롤린 듀란(Carolyn Duran) 부사장은 “인텔과 SK하이닉스는 JEDEC 표준화를 통해 초기 아키텍처 개념부터 DDR5 표준 사양 개발에 이르기까지 긴밀히 협력해 왔다”며 “성능 확보를 위해 시제품 설계와 검증 등에 양사가 협업하여 고객 대응 준비를 완료했다”고 말했다.

SK하이닉스 GSM담당 오종훈 부사장은 "세계 최초로 DDR5 출시를 하게 되어 D램 시장에서 미래 기술을 선도하게 되었다"며 "빠르게 성장하는 프리미엄 서버 시장을 집중 공략하여 서버 D램 선도 업체의 위상을 더 공고히 하겠다"고 말했다.

한편 JEDEC(국제반도체표준협의기구)은 금년 7월 차세대 D램인 DDR5의 표준규격을 공식 발표했다.

시장조사기관 옴디아는 DDR5의 수요가 2021년부터 본격적으로 발생하기 시작해 2022년에는 전체 D램 시장의 10%, 2024년에는 43%로 지속 확대될 것으로 예상했다.

아울러 시높시스, 르네사스, 몬타지 테크놀로지, 램버스도 DDR5 생태계 조성에 대한 지속적인 협력 의지를 전해왔다.

[주요 파트너사 메시지]
• 시높시스(Synopsys) IP 마케팅 및 전략 담당 수석 부사장, 존 키터(John Koeter):
“SK하이닉스와 협업을 통해 초고속∙고용량 메모리를 필요로 하는 고성능 컴퓨터(HPC, High Performance Computing) SoC에 신뢰도 높은 DDR5 솔루션을 제공하게 되었다. 시높시스의 ‘DesignWare DDR5/4 IP’를 SK하이닉스의 DDR5 모듈을 통해 최대 6,400Mbps 전송 속도에서 검증함에 따라 설계자의 리스크를 최소화하면서 데이터 집약적인 고성능 SoC를 구현할 수 있다.”

• 르네사스(Renesas) 데이터 센터 사업 부문 부사장 겸 총괄 매니저, 라미 세티(Rami Sethi):
“당사는 지난 20년간 메모리 인터페이스 제품의 선도 공급 업체로서 주요 파트너, 고객과의 협력에 자부심을 가지고 있다. SK하이닉스와 긴밀히 협력하여 서버, 클라이언트 및 내장형 시스템 시장을 위한 DDR5 제품 포트폴리오를 검증했다.”

• 몬타지 테크놀로지(Montage Technology) 영업 및 사업 개발 부문 부사장, 조프 핀들리(Geof Findley): “DDR5 메모리 생태계 조성에 SK하이닉스와 협력하게 되어 매우 기쁘다. DDR5 D램 모듈에 종합 포트폴리오를 제공하는 몬타지 테크놀로지는 DDR 초기부터 SK하이닉스와 협력해 왔고, 이번에도 SK하이닉스와 DDR5 시장 가속화에 함께할 수 있어 기쁘다”

• 램버스(Rambus) 집적회로 부문 부사장 겸 총괄 매니저, 리젠싱(Chien-Hsin Lee): “DDR5 생태계 조성을 위한 차세대 기술 구현 등에서 SK하이닉스와 협력하게 되어 매우 기쁘게 생각한다. 새로운 메모리 인터페이스를 채용한 DDR5 D램 모듈이 서버 성능을 향상시켜 고용량·고대역폭의 메모리가 요구되는 데이터센터 시장 수요를 충족시킬 것으로 기대한다.”

[용어설명]

1) SoC(System On Chip): 중앙처리장치(CPU)와 버스(Bus, 정보전송회로)를 통해 연동되는 주변 회로장치(메모리 컨트롤러, PCIe Bus 등)들이 단일 칩으로 통합된 솔루션

2) RCD(Register Clock Driver): 메모리 컨트롤러로부터 메모리에 인가되는 명령어 및 데이터 신호를 증폭하여 송수신부 간 신호 품질을 보장하는 능동 소자. 서버 D램 모듈(RDIMM, LRDIMM)에 장착됨

3) PMIC(Power Management IC): 주 전원을 입력 받아 전자장치에서 요구하는 안정적이고 효율적인 전압 또는 전류를 공급하는 반도체. D램 모듈에는 DDR5에서 처음으로 장착됨

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